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APTGT200DA170D3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTGT200DA170D3G
    APTGT200DA170D3G

    APTGT200DA170D3G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 1700V 400A 1250

  • 22+

  • -
  • APTGT200DA170D3G
    APTGT200DA170D3G

    APTGT200DA170D3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
APTGT200DA170D3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 1700V 400A 1250W D3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無(wú)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGT200DA170D3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT200DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):6mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G
配單專家

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免責(zé)聲明:以上所展示的APTGT200DA170D3G信息由會(huì)員自行提供,APTGT200DA170D3G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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