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APTGT200A60TG

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
APTGT200A60TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無(wú)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGT200A60TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:17nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200A120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1040W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:6mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G
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