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APT5014SLLG/TR

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
APT5014SLLG/TR 技術(shù)參數(shù)
  • APT5014SLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3261pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3 [S] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5014BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3261pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5012JN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):370nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):520W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 21.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT5010LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30
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