APT40SM120S

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT40SM120S
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc,iscsemi
TO-268
2024+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT40SM120S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APT40SM120S
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
散裝
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條
1

您是不是要找： APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
41A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
130nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
2560pF @ 1000V
功率 - 最大值
273W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝
D3Pak
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT40SM120S 技術(shù)參數(shù)

APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M75JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 28A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J