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APT40M70JVFR

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  • 型號
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  • APT40M70JVFR
    APT40M70JVFR

    APT40M70JVFR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!!

  • APT40M70JVFR
    APT40M70JVFR

    APT40M70JVFR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • APT

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • APT40M70JVFR
    APT40M70JVFR

    APT40M70JVFR

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • ISOTOP?/FONT>

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APT40M70JVFR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • POWER MOS V®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APT40M70JVFR 技術(shù)參數(shù)
  • APT40M42JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):86A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):760nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):690W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 43A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40M35JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):93A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 46.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1065nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20160pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A 功率 - 最大值:345W 開關(guān)能量:828μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/124ns 測試條件:400V,40A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1.38mJ(開),906μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/163ns 測試條件:600V,40A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT40GR120B2SCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):88A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,40A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:929μJ(開),1070μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:20ns/166ns 測試條件:600V,40A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2
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