APT30GS60BRDLG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT30GS60BRDLG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT30GS60BRDLG
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APT30GS60BRDQ2G APT30GT60BRDQ2G APT30GT60BRG APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J

APT30GS60BRDLG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT30GS60BRDLG PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT30GS60BRDLG 技術(shù)參數(shù)

APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準包裝:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準包裝:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準包裝:1 APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準包裝:1 APT30GP60B2DLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準包裝:1 APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK