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APT30GP60B2DLG

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APT30GP60B2DLG
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
T-MAX?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

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您是不是要找： APT30GP60BDQ1G APT30GP60BG APT30GP60JDQ1 APT30GP60LDLG APT30GS60BRDLG APT30GS60BRDQ2G APT30GT60BRDQ2G APT30GT60BRG APT30GT60KRG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 100A 463W TMAX
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 100A T-MAX
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT30GP60B2DLG 技術參數

APT30GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 開關能量:525μJ（開），700μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/155ns 測試條件:400V，30A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 開關能量:525μJ（開），700μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/155ns 測試條件:400V，30A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:40μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT30F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B