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APT25GR120BSCD10

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  • APT25GR120BSCD10
    APT25GR120BSCD10

    APT25GR120BSCD10

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO247

  • 最新批號(hào)

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  • APT25GR120BSCD10
    APT25GR120BSCD10

    APT25GR120BSCD10

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
APT25GR120BSCD10 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 75A 521W TO247
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE TRANSISTOR
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APT25GR120BSCD10 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ（開），427μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:370μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:370μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:500μJ（開），438μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/70ns 測(cè)試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J
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