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APT25SM120B

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT25SM120B
    APT25SM120B

    APT25SM120B

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Microsemi/美高森美

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • APT25SM120B
    APT25SM120B

    APT25SM120B

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人:吳先生/吳小姐/朱先生

    電話:0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址:深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • MICROSEMI/美高森美

  • TO-247

  • 2020+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨 渠道優(yōu)勢庫存 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APT25SM120B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 碳化硅 (SiC)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 25A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 175 毫歐 @ 10A,20V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 72nC @ 20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 175W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT25SM120B 技術(shù)參數(shù)
  • APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):330 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GT120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,25A 功率 - 最大值:347W 開關(guān)能量:930μJ(開),720μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:14ns/150ns 測試條件:800V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GT120BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,25A 功率 - 最大值:347W 開關(guān)能量:930μJ(開),720μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:14ns/150ns 測試條件:800V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120SSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:434μJ(開),466μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120SD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ(開),427μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J
配單專家

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