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APT14F100B
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配單，只做原裝

APT14F100B
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14
22+
-

APT14F100B
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT14F100B
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
isc,iscsemi
TO-247
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

APT14F100B
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT14F100B
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APT14F100B
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT14F100B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT14F100B
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
80
APT
T0-3P
0705+
-
專業(yè)分銷，現(xiàn)貨特價15810809722...

APT14F100B
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
30
MICROSEMI
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 8™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT14F100B 技術(shù)參數(shù)

APT14050JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1400V（1.4kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:820nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT13GP120KG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:114μJ（開），165μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT13GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:115μJ（開），165μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:115μJ（開），165μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT13F120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4765pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG