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APT15GF120JCU2

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 操作
  • APT15GF120JCU2
    APT15GF120JCU2

    APT15GF120JCU2

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOD IGBT NPT SIC CHO

  • 22+

  • -

  • APT15GF120JCU2
    APT15GF120JCU2

    APT15GF120JCU2

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 200

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APT15GF120JCU2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode
APT15GF120JCU2 技術(shù)參數(shù)
  • APT15F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2882pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15F50K 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:390 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 25V 功率 - 最大值:223W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT15DS60BG 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 13A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)串聯(lián) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:13A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:4V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:14ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 600V 安裝類型:通孔，徑向 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15DQ60KG 功能描述:Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:2.4V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:19ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GT120BRDQ1G APT15GT120BRG APT15GT60BRDQ1G APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A
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