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AOU2N60_001

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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AOU2N60_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 2A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 4.4 歐姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 325pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 56.8W
  • 工作溫度
  • -50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-251-3
  • 標準包裝
  • 1
AOU2N60_001 技術(shù)參數(shù)
  • AOU2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 650mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOTS40B65H1 功能描述:IGBT 650V 40A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 功率 - 最大值:300W 開關(guān)能量:1.27mJ(開),460μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:63nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:41ns/130ns 測試條件:400V、 40A、 7.5 歐姆、 15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF9N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2560pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500
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