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AOT3N100

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    AOT3N100

    AOT3N100

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 35000

  • AOS/萬代

  • TO-220

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • AOT3N100
    AOT3N100

    AOT3N100

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 8865

  • AOS

  • TO-220

  • 14+

  • -
  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 1
AOT3N100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
AOT3N100 技術(shù)參數(shù)
  • AOT2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:74W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.5A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6775pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT418L AOT424 AOT42S60L AOT430 AOT440 AOT460 AOT462 AOT462_001 AOT462L AOT470 AOT472 AOT474 AOT474_002 AOT480L AOT482L AOT4N60 AOT4S60L AOT500
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