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AOT5N50_001

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AOT5N50_001
    AOT5N50_001

    AOT5N50_001

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話(huà)：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AOS

  • TO-220

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 5A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 19nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 620pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 104W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AOT5N50_001 技術(shù)參數(shù)
  • AOT5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:195W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開(kāi)關(guān)能量:80μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 82.4W TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 開(kāi)關(guān)能量:140μJ（開(kāi)），40μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/83ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT502 功能描述:MOSFET N-CH 33V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:33V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT8N65_001 AOT8N80L AOT8N80L_001 AOT9N40L AOT9N50 AOT9N70 AOTF10B60D AOTF10B60D2 AOTF10B65M1 AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60 AOTF10N60_003 AOTF10N60_006 AOTF10N60L_002 AOTF10N65 AOTF10N90
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