AON6532P

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說明
操作

AON6532P
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
59990
AO
DFN-856
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

AON6532P
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4083
AOS
DFN8
2234+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
68A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
710mV @ 1A
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
17.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1080pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
4.1 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

AON6532P 技術(shù)參數(shù)

AON6532 功能描述:MOSFET N CH 30V 27A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1080pF @ 15V 功率 - 最大值:5.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6530 功能描述:MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28.5A（Ta），72A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1315pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6528 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1037pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6526 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1229pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6524_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），68A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5.7W（Ta），35.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6560 AON6562 AON6566 AON6566_MSI AON6566P AON6572 AON6576 AON6578 AON6586 AON6588 AON6590 AON6594 AON6596 AON6598 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102