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AON6566P

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  • AON6566P
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN

  • 最新批號

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  • AON6566P
    AON6566P

    AON6566P

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 29995

  • AO/萬代

  • DFN-85X6

  • 13+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AON6566P
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    AON6566P

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • AO/萬代

  • DFN-856

  • 17+

  • -

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  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 27A DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON6566P 技術(shù)參數(shù)
  • AON6566_MSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:29A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6566 功能描述:MOSFET N CH 30V 29A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:29A（Ta），32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1550pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6562 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:29A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6560 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A（Ta），200A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:680 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:325nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11500pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6558 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1128pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102 AON6752 AON6754 AON6756 AON6756_101 AON6758 AON6758_101 AON6758_102 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764 AON6774 AON6780 AON6782
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