AON2701L#A

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
二極管（隔離式）
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
120 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
700pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
6-DFN（2x2）
標準包裝
1

AON2701L#A 技術(shù)參數(shù)

AON2701_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIODE DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN（2x2）封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON2701 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標準包裝:3,000 AON2420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:552pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標準包裝:1 AON2411 功能描述:MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 12A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2180pF @ 6V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-DFN（2x2）標準包裝:1 AON2410 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:813pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN-EP（2x2）標準包裝:1 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003