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AON5802B_101

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  • AON5802B_101
    AON5802B_101

    AON5802B_101

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AON5802B_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH DUAL DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-SMD,扁平引線裸焊盤
  • 供應商器件封裝
  • 6-DFN-EP(2x5)
  • 標準包裝
  • 3,000
AON5802B_101 技術參數
  • AON5802B 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:5,000 AON5802ALS 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:3,000 AON5802A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 7.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1115pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:1 AON4807_101 功能描述:MOSFET P-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:3,000 AON4807_001 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246
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