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AON2392

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
  • 操作
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  • 1
AON2392 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaSGT?
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 8A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 25nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 840pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 4.1W (Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 32 毫歐 @ 8A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(2x2)
  • 封裝/外殼
  • 8-VFDFN 裸露焊盤
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AON2392 技術(shù)參數(shù)
  • AON2290 功能描述:MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):415pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2260 功能描述:MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):426pF @ 30V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON2240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):415pF @ 20V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON1634 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):54 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):245pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerUFDFN 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN(1.6x1.6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON1620 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):770pF @ 6V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerUFDFN 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN(1.6x1.6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2411 AON2420 AON2701 AON2701_001 AON2701L#A AON2705 AON2705_001 AON2707 AON2800 AON2801 AON2801L AON2801L#A AON2802 AON2803 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880
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