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深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
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地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
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深圳市企諾德電子有限公司
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聯(lián)系人：胡
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功能描述
MOSFET N-CH 30V 15A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
15A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
4.6 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
112nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
6800pF @ 15V
功率 - 最大值
1.7W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝
8-SO
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

AO4488L 技術(shù)參數(shù)

AO4488 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:112nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4486 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:942pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4485L_102 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 20V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4485_102 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO4485 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 20V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4498E AO4498EL AO4566 AO4568 AO4576 AO4578 AO4588 AO4606L AO4606L_DELTA AO4611 AO4612 AO4613 AO4613_001 AO4614A AO4614B AO4614B_101 AO4614BL_103 AO4616