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AO4614BL_103

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AO4614BL_103 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • N 和 P 溝道
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 6A,5A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 30 毫歐 @ 6A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 10.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 650pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝
  • 8-SO
  • 標準包裝
  • 1
AO4614BL_103 技術參數(shù)
  • AO4614B_101 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4614B 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4614A 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A,5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):404pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4613_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4613 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AO4701 AO4706 AO4708 AO4710 AO4710L_101 AO4712 AO4714 AO4718 AO4720 AO4722 AO4724 AO4726 AO4728 AO4752 AO4771 AO4771L AO4772 AO4800B
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