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ALD212900APAL

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • ALD212900APAL
    ALD212900APAL

    ALD212900APAL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • ALD212900APAL
    ALD212900APAL

    ALD212900APAL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 640

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD212900APAL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD210814SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210814PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210808ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 N 溝道，配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL ALD2301SAL ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL ALD2302SAL
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