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ALD210808ASCL

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  • 廠商
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ALD210808ASCL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
  • 制造商
  • advanced linear devices inc.
  • 系列
  • EPAD?,Zero Threshold?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 4 N 溝道,配對
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 10.6V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 80mA
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 20mV @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • -
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 16-SOIC
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
ALD210808ASCL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD210808APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210804SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210802SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD210802PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212902SAL ALD212904PAL ALD212904SAL ALD212908APAL ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL
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