參數(shù)資料
型號： 933628690215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 46K
代理商： 933628690215
1999 May 28
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistors
BC859; BC860
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tj =25 °C unless otherwise specied.
Notes
1. VBEsat decreases by about 1.7 mV/K with increasing temperature.
2. VBE decreases by about 2 mV/K with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 30 V
1
15
nA
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 150 °C
4
A
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5V
100 nA
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5V;
see Figs 2 and 3
BC859B; BC860B
220
475
BC859C; BC860C
420
800
VCEsat
collector-emitter saturation
voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
75
300 mV
IC = 100 mA; IB = 5mA
250 650 mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA; note 1
700
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA; note 1
850
mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V; note 2
600 650 750 mV
IC = 10 mA; VCE = 5 V; note 2
820 mV
Cc
collector capacitance
IE =ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
4.5
pF
Ce
emitter capacitance
IC =ic = 0; VEB = 500 mV; f = 1 MHz
10
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100
MHz
F
noise gure
IC = 200 A; VCE = 5 V; RS =2k;
f = 30 Hz to 15 kHz
BC859B; BC860B;
BC859C; BC860C
4dB
noise gure
IC = 200 A; VCE = 5 V; RS =2k;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
BC859B; BC860B;
BC859C; BC860C
4dB
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PDF描述
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9-336513-4 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 MOD PLUG BOOT 8W BLUE DIAM MAX 6 5 RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級:
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