參數(shù)資料
型號： 8EWF06STRLPBF
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： 8EWF06STRLPBF
2
I2124 rev. B 10/99
8EWF..S
QUIETIR Series
I
F(AV)
Max.AverageForwardCurrent
8
A
@ T
C
=96°C,180°conductionhalfsinewave
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
170
10msSinepulse,ratedV
RRM applied
SurgeCurrent
200
10msSine pulse,novoltagereapplied
I2t
Max. I2t for fusing
140
10msSinepulse,ratedV
RRM
applied
200
10msSinepulse,novoltagereapplied
I2
√t Max. I2√t for fusing
2000
A2
√s
t=0.1to10ms,novoltagereapplied
Voltage Ratings
Part Number
V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
8EWF02S
200
300
3
8EWF04S
400
500
8EWF06S
600
700
Absolute Maximum Ratings
Parameters
8EWF..S
Units
Conditions
t
rr
Reverse Recovery Time
140
ns
I
F
@ 8Apk
I
rr
Reverse Recovery Current
2.6
A
@ 25A/s
Q
rr
Reverse Recovery Charge
0.25
C
@ T
J
= 25°C
S
Snap Factor
tb/ta
0.5
-
Parameters
8EWF..S
Units
Conditions
A
A2s
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.2
V
@ 8A, T
J
= 25°C
r
t
Forward slope resistance
16
m
VF(TO) Threshold voltage
1.13
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.1
T
J
= 25 °C
3TJ = 150 °C
Electrical Specifications
Parameters
8EWF..S
Units
Conditions
T
J
= 150°C
V
R
= rated V
RRM
mA
Typical Reverse Recovery Characteristics
t
IFM
trr
Qrr
Irr
di
dt
tb
ta
相關PDF資料
PDF描述
8EWF06STRRPBF 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
8TQ100STRRPBF 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
8614-00-40-2-Y0-4-324-LF 40 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
8614-00-40-2-Y0-4-325-LF 40 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
8614-00-40-2-Y0-5-313-LF 40 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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