參數(shù)資料
型號： 8ETH06STRL
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 2079K
代理商： 8ETH06STRL
3
8ETH06, 8ETH06S, 8ETH06-1, 8ETH06FP
Bulletin PD-20746 rev. G 09/06
www.irf.com
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
Forward Voltage Drop - VFM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Reverse Voltage - VR (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Reverse
Current
-
I
R
(μ
A)
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
100
01234
T = 175C
T = 150C
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
25C
T
= 175C
J
100C
125C
150C
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
T = 25C
J
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
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PDF描述
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