參數(shù)資料
型號： 85HF140M
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 85 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
封裝： DO-5, 1 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： 85HF140M
85HF(R) Series
7
Bulletin I20203 rev. D 01/05
www.irf.com
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
Average Forward Current (A)
Maximum
Average
Forward
Power
Loss
(W)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
Average Forward Current (A)
Maximum
Average
Forward
Power
Loss
(W)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
1.5
K/W
2 K/W
3 K/W
5 K/W
10 K/W
1 K/W
0.7
K/W
RthSA
=
0.5
K/W
- Delta
R
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1020304050 60 70 8090
RMS Limit
Conduction Angle
180
120
90
60
30
85HF(R) Series
(1400V, 1600V)
Tj = 150C
0
25
50
75
100
125
150
1.5
K/W
2 K/W
3 K/W
5 K/W
10 K/W
0.7
K/W
1 K/W
RthSA
=
0.5
K/W
- Delta
R
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100 120 140
DC
180
120
90
60
30
RMS Limit
Conduction Period
85HF(R) Series
(1400V, 1600V)
Tj = 150C
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
Peak
Half
Sine
Wave
Forward
Current
(A)
400
600
800
1000
1200
1400
1600
110
100
85HF(R) Series
Initial Tj = Tj Max.
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
At Any Rated Load Condition And With
Rated Vrrm Applied Following Surge.
Pulse Train Duration (s)
Peak
Half
Sine
Wave
Forward
Current
(A)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0.01
0.1
1
Maximum Non Repetitive Surge Current
85HF(R) Series
Initial Tj = Tj Max.
No Voltage Reapplied
Rated Vrrm Reapplied
Versus Pulse Train Duration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
86HF100 85 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
85HFR140 85 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
86HF100M 85 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB
801-011-02NF13-2SE 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, FEMALE, CIRCULAR CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE
801-011-02NF13-2SF 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, FEMALE, CIRCULAR CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
85HF160 功能描述:DIODE STD REC 1600V 85A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
85HF160M 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES
85HF160PBF 制造商:Vishay 功能描述:Bulk
85HF20 功能描述:DIODE STD REC 200V 85A DO-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
85HF-20 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE
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