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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI150U4B-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | 6MBI150U4B-120 |
H04-004-03a
MS5F6013
13
10
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=150A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 2.2
Ω
,
Tj <= 125
o
C
Tj=25
o
C
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=150A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
, Tj=125
o
C
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
250
Collector current : Ic [ A ]
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
50
100
150
200
250
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
ton
S
tr
tf
0
5
10
15
20
25
0
50
100
Collector current : Ic [ A ]
150
200
250
300
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
40
50
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI150U4B-170 | IGBT MODULE |
| 6MBI15F-060 | IGBT(600V15A) |
| 6MBI15F-120 | IGBT(1200V 15A) |
| 6MBI15GS-060 | IGBT (600V 15A) |
| 6MBI15L-120 | IGBT MODULE(1200V 15A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI150U4B-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6 Pack IGBT 150A 1200V,6MBi150U4B-120-50 |
| 6MBI150U4B-170 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI150UB-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
| 6MBI150VB-060-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT 6 PK V SER 150A 600V M633 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, 6 PK, V SER, 150A, 600V, M633 |
| 6MBI150VB-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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