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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 5962-8956803ZX |
| 元件分類(lèi)： | FIFO |
| 英文描述： | OTHER FIFO, 65 ns, CQCC32 |
| 封裝： | CERAMIC, CC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | 5962-8956803ZX |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5962H9215306QZX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 60 ns, DFP36 |
| 5962-9458501HYC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CHIP66 |
| 5962-9207801HXC | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, DIP32 |
| 55236Z-13UL-CSAU273 | TOGGLE SWITCH, SPDT, LATCHED, PANEL MOUNT-THREADED |
| 55249A-33UL-CSAU1047 | TOGGLE SWITCH, DPDT, LATCHED, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 5962-8956806UA | 功能描述:先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
| 5962-8956806XA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
| 5962-8956806ZA | 功能描述:先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: |
| 5962-8956807UA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
| 5962-8956807XA | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 4K x 9 28-Pin CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH UNI-DIR 4KX9 28CDIP - Rail/Tube |
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