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參數資料
| 型號： | 50PFR40W |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封裝： | PLASTIC, DO-5, 1 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 619K |
| 代理商： | 50PFR40W |
50PF (R)...(W) Series
3
Bulletin I20105 rev. D 01/05
www.irf.com
Parameter
Units
Conditions
50PF (R)...(W)
40 to 120
TJ
Max. junction operating temperature range
-55 to 180
T
stg
Max. storage temperature range
-55 to 180
R
thJC
Max. thermal resistance, junction to case
0.51
DC operation
R
thCS
Max. thermal resistance, case
Mounting surface, smooth, flat and
to heatsink
greased
T
Allowable mounting torque
3.4 +0-10%
N m
Tighting on nut (1)
30
lbf
in Not lubricated threads
2.3 +0-10%
N m
Tighting on hexagon (2)
20
lbf
in Lubricated threads
wt
Approximate weight
15.8 (0.56)
g (oz)
Case style
DO-203AB (DO5)
See Outline Table
°C
0.25
K/W
Thermal and Mechanical Specifications
180°
0.11
0.10
T
J = TJ max.
120°
0.16
90°
0.20
0.22
60°
0.29
0.31
30°
0.49
0.50
Conduction angle
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction Units
Conditions
K/W
R
thJC Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence RthJC when devices operate at different conduction angles than DC)
(1) As general recommendation we suggest to tight on Hexagon and not on nut
(2) Torque must be appliable only to Hexagon and not to plastic structure
110
120
130
140
150
160
170
180
0
10
203040
5060
30
60
90
120
180
Conduction Angle
50PF(R) Serie
RthJC = 0.51 K/W
120
130
140
150
160
170
180
0
10
203040
5060
7080
DC
30
60
90
120
180
Conduction Period
50PF(R) Series
RthJC (DC) = 0.51 K/W
Average Forward Current (A)
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Average Forward Current (A)
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(°C)
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(°C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50PFR80W | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PF120W | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PFR40 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 52PFR80 | 50 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 50PFR40W | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 50PFR80 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Standard Recovery Rectifier |
| 50PFR-80 | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| 50PFR80W | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES GEN II DO5 |
| 50PFV100M10X10.5 | 功能描述:100μF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 28 mOhm 4000 Hrs @ 125°C 制造商:rubycon 系列:PFV，混合物 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:100μF 容差:±20% 額定電壓:50V ESR（等效串聯(lián)電阻）:28 毫歐 不同溫度時的使用壽命:125°C 時為 4000 小時 工作溫度:-55°C ~ 125°C 極化:極化 應用:通用 紋波電流:80mA 阻抗:- 引線間距:- 大小/尺寸:0.394" 直徑（10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.413"（10.50mm） 表面貼裝焊盤尺寸:0.406" 長 x 0.406" 寬（10.30mm x 10.30mm） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:徑向，Can - SMD 標準包裝:1 |
| 50PFV22M6.3X6.1 | 功能描述:CAP ALUM POLY 22UF 20% 50V SMD 制造商:rubycon 系列:PFV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:混合物 電容:22μF 容差:±20% 電壓 - 額定:50V ESR（等效串聯(lián)電阻）:80 毫歐 不同溫度時的使用壽命:125°C 時為 4000 小時 工作溫度:-55°C ~ 125°C 等級:AEC-Q200 應用:汽車級 引線間距:- 大小/尺寸:0.248" 直徑（6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.240"（6.10mm） 表面貼裝焊盤尺寸:0.260" 長 x 0.260" 寬（6.60mm x 6.60mm） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:徑向，Can - SMD 標準包裝:1 |
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