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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK296 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 3SK296 |
3SK296
5
0
5
4
3
2
1
2
4
6
8
10
V = 3 V
I = 10 mA
f = 900 MHz
N
Noise Figure vs. Drain to Source Voltage
Drain to source voltage V (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 3SK298 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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