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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK973S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK973S |
2SK973(L), 2SK973(S)
5
500
200
100
50
20
10
5
0.2
0.5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
2
20
5
1.0
10
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
r
di/dt = 50 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
300
100
30
3
1
C
0
10
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
30
10
40
V
= 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
0
2
6
8
Gate Charge Qg (nc)
4
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
D
D
G
G
10
V
DS
V
GS
V
DD
= 50 V
10 V
25 V
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
I
D
= 2 A
Switching Characteristics
100
50
20
10
2
1
0.05
0.1
0.5
5
Drain Current I
D
(A)
1.0
0.2
2
S
5
t
d (off)
t
f
t
r
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1 %
t
d (on)
5
4
3
2
1
0
0.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
R
D
V
GS
= 0, –5 V
Pulse Test
10 V
5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK974 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK974L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK974S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK975 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 560uF; Voltage: 160V; Case Size: 30x25 mm; Packaging: Bulk |
| 2V5P4M | 2.5 A PLASTIC MOLDED THYRISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK974 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:高速高壓MOS大功率場效應(yīng)管 |
| 2SK974(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251AA |
| 2SK974(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
| 2SK974L | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK974L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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