參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4178
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 216K
代理商： 2SK4178
Data Sheet D19080EJ1V0DS
4
2SK4178
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
= 10 V
Pulsed
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
-
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
T
ch
=
55
°
C
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
150
°
C
V
DS
= 10 V
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
f
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T
ch
=
55°C
25°C
V
DS
= 10 V
Pulsed
25°C
75°C
125°C
150°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10 V
I
D
- Drain Current - A
D
Ω
0
5
10
15
0
5
10
15
20
Pulsed
I
D
= 30 A
9.6 A
V
GS
– Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
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