參數(shù)資料
型號： 2SK4178-ZK-E1-AY
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 216K
代理商： 2SK4178-ZK-E1-AY
Data Sheet D19080EJ1V0DS
3
2SK4178
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperature -
°
C
T
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs. CASE TEMPERATURE
D
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D(pulse)
I
D(DC)
1
i
0 m
i
s
T
C
= 25
°
C
Single pulse
1
i
m
i
s
Powe DsspaionLmted
R
DSon)
Lmted
(V
GS
=1
0 V)
PW =1
00
μ
s
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperature -
°
C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
t
°
C
0.1
100
μ
1
10
100
1000
R
th(ch-A)
= 125
°
C/W
Single pulse
R
th(ch-C)
= 3.8
°
C/W
PW - Pulse Width – s
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述
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