參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4178-S27-AY
廠(chǎng)商： NEC Corp.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： 2SK4178-S27-AY
Data Sheet D19080EJ1V0DS
5
2SK4178
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
5
10
15
20
-75
-25
25
75
125
175
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 12 A
Pulsed
10 V, 30 A
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage – V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
0.1
1
10
100
t
f
t
d(off)
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 3
Ω
t
d(on)
t
r
I
D
- Drain Current - A
D
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
0
2
4
6
8
10
V
GS
V
DS
I
D
= 30 A
V
DD
= 24 V
15 V
Q
G
– Gate Charge - nC
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
F
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
10 V
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
0 V
V
F(S-D)
– Source to Drain Voltage - V
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
di/dt = 100 A/
μ
s
I
F
– Diode Forward Current - A
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PDF描述
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