參數(shù)資料
型號: 2SK4081-ZK-E1-AY
廠商: NEC Corp.
英文描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述: 開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 231K
代理商: 2SK4081-ZK-E1-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
3
2SK4081
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
T
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs. CASE TEMPERATURE
D
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
I
D(pulse)
I
D(DC)
T
C
= 25
°
C
Single Pulse
R
DSon)
L0 V)
(V
GS
=1
PW =1
00
μ
s
1
m
1
0m
i
s
i
s
Pwe DsipaionLme
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Case Temperature -
°
C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
t
°
C
0.01
100
μ
1 m 10 m 100 m 1
0.1
1
10
100
1000
R
th(ch-A)
= 125
°
C/W
i
R
th(ch-C)
= 4.167
°
C/W
i
Single Pulse
PW - Pulse Width - s
10
100
1000
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PDF描述
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2SK4084LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4085LS 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube