參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4078-ZK-E1-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 182K
代理商： 2SK4078-ZK-E1-AY
Data Sheet D18885EJ1V0DS
4
2SK4078
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
= 10 V
Pulsed
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
D
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
1
2
3
4
5
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
25
°
C
75
°
C
150
°
C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-100
-50
0
50
100
150
200
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
f
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
25
°
C
75
°
C
150
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
4
8
12
16
20
1
10
100
10 V
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
I
D
- Drain Current - A
D
Ω
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
Pulsed
I
D
= 10 A
25 A
50 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4078-ZK-E2-AY SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK40 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK400 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR
2SK401 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK402 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR
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2SK4081 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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