參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3870-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT23
中文描述： 40 A, 230 V, 0.076 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 95K
代理商： 2SK3870-01
3
2SK3870-01
FUJI POWER MOSFET
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
μ
A
V
Tch [
°
C]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=40A,Tch=25
°
C
184V
115V
Vcc= 46V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1p
10p
100p
1n
10n
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=180V,VGS=10V,RG=10
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
I
AS
=16A
I
AS
=24A
I
AS
=40A
starting Tch [
°
C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=40A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3871-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3875-01 FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series
2SK3876-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3887-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3888-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
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參數(shù)描述
2SK3875-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 900V, RDS(ON) 0.79Ohm, ID 13A, TO-247, PD 355W, VGS +/-30V
2SK3875-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3876-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3878(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 9A 1.3@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N CH 9A 900V TO3P 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET, N CH, 900V, 9A, SC-65; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:150W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-Channel 900V 9A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
2SK3878(F,T) 功能描述:MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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