參數(shù)資料
型號： 2SK3556
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： N溝道功率MOSFET硅
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SK3556
2
Characteristics
2SK3556-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
20V
7.0V
10V
8V
6.5V
7.5V
6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
20
40
60
80
100
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
7.0V
6.5V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=12.5A,VGS=10V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK3557-7-TB-E 功能描述:MOSFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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