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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3512-01S |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | MOSFETs |
| 中文描述： | 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TPACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | 2SK3512-01S |
2
0
5
10
15
ID [A]
20
25
30
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
R
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
7.0V
VGS=6.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
20V
10V
8V
7.5V
7.0V
I
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
VGS=6.5V
Characteristics
2SK3512-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0.1
1
10
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
starting Tch [
°
C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=50V,I(AV)<=12A
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3513-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3514 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3514-01 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3515 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3515-01MR | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3514-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3515-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3516-01LZSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3517-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 1.15 Ohms;ID +/-6A;TO-220AB;PD 90W;VGS +/-3 |
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