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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3364-01 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | 50 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | 2SK3364-01 |
2
Characteristics
2SK3364-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
o
C]
10
0
10
VDS [V]
1
10
2
10
0
10
1
10
2
I
Safe operating area
ID=f(VDS):D=0.01,Tc=25°C
t=
1μs
10
μ
s
1ms
10ms
100ms
100
μ
s
D.C.
0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
6.0V
5.5V
4.0V
3.5V
4.5V
10V
8V
5.0V
VGS=20V
Typical output characteristics
ID=f(VDS):80μs pulse test,Tc=25°C
I
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
100
Typical transfer characteristics
ID=f(VGS):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
I
VGS [V]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical forward transconductance
gfs=f(ID):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
g
ID [A]
0
50
100
ID [A]
150
200
0
10
20
30
40
50
6V
R
]
Typical Drain-Source on-State Resistance
RDS(on)=f(ID):80μs pulse test,Tch=25°C
8V
10V
20V
4.5V
5.0V
4.0V
VGS=
3.5V
5.5V
t
T
D=
t
T
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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