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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3211L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SK3211L |
2SK3211
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
2000
1000
10000
5000
100
200
500
200
160
120
80
40
0
20
16
12
8
4
40
Gate Charge Qg (nc)
80
120
160
200
0
1000
500
50
100
20
10
200
200
1000
20
100
10
0.1 0.2
1
2
10
20
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
10
20
50
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 20 A
V
GS
V
DS
V = 150 V
100 V
50 V
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
V = 150 V
100 V
50 V
50
500
0.5
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3211S | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3211 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3212 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3214 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3215 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3211L-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3212 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3212-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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