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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2931 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SK2931 |
2SK2931
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
10000
2000
5000
1000
100
200
500
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
40
80
120
160
200
0
0.1 0.2
1
2
10 20
100
I = 45 A
V
GS
V
DS
V = 50 V
25 V
10 V
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
100
20
50
10
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
50
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
V = 10 V
25 V
50 V
1000
200
500
100
20
10
50
0.5
5
50
V = 10 V, V = 30 V
PW = 10 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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