參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2616
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Ultrahigh-Speed Switching Applications
中文描述: 超高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商: 2SK2616
2SK2616
No.5620–2/4
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25C
C
C
Electrical Characteristics
at Ta = 25C
Tc=25C
Switching Time Test Circuit
RGS
50
P.G
2SK2616
S
G
D
VOUT
VDD=200V
VGS=15V
ID=1A
RL=200
PW=1
μ
s
D.C.
0.5%
VGS
15V
0V
r
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a
P
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S
G
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2618LS N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications
2SK2638-01MR TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT-23
2SK2639-01 N-channel MOS-FET
2SK2640 N-channel MOS-FET
2SK2640-01MR N-channel MOS-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK2618ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET, N CH 500V 6.5A TO220F Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 500V 6.5A TO220F 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FI(LS)
2SK2623-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 600V 1.5A 5.5@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 600V 1.5A TP-FA
2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件