參數(shù)資料
型號： 2SK2157
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 60K
代理商： 2SK2157
2SK2157
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
60
40
20
0
30
60
90
120
150
T
A
- Ambient Temperature - C
d
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
2
1
0.5
0.2
0.1
2
5
10
50
100
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
5
1
20
Single Pulse
10ms
PW=100ms
DS
1ms
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
V
DS
- Drain to Source Voltate -V
I
D
3.5 V
3.0 V
2.5 V
V
GS
= 2.0 V
40V
1V
4
TRANSFER CHARACTERISTICS
10
1
0.1
0.01
0.5
1
1.5
2.5
3
4
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
0.001
2
3.5
–25 C
V
DS
= 10 V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
I
D
- Drain Current - A
f
|
V
DS
= 10 V
0.001
T
A
= –25 C
25 C
75 C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
0.3
0.2
0.1
0.01
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
V
GS
= 4 V
0.001
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
T
A
= 25 C
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PDF描述
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2SK2159 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
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