參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1358
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Diver)
中文描述： 場(chǎng)效應(yīng)管，硅?頻道馬鞍山類型（高速，大電流的DC - DC轉(zhuǎn)換器，繼電器驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)潛水員）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 569K
代理商： 2SK1358
2/6
TOSHIBA CORPORATION
2SK1358
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics (Ta = 25
°
C)
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
25V, V
DS
= 0V
–
–
±
100
nA
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= 720V, V
GS
= 0V
–
–
300
μ
A
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR) DSS
I
D
= 10mA, V
GS
= 0V
900
–
–
V
Gate Threshold Voltage
V
th
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
1.5
–
3.5
V
Drain-Source ON Resistance
R
DS (ON)
I
D
= 4A, V
GS
= 10V
–
1.1
1.4
Forward Transfer Admittance
Y
fs
V
DS
= 20V, I
D
= 4A
2.0
4.0
–
S
Input Capacitance
C
iss
V
f = 1MHz
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
–
1300
1800
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
–
100
150
Output Capacitance
C
oss
–
180
260
Switching
Time
Rise Time
t
r
–
25
50
ns
Turn-on Time
t
on
–
40
80
Fall Time
t
f
–
20
40
Turn-off Time
t
off
–
100
200
Total Gate Charge
(Gate-Source Plus Gate-Drain)
Q
g
V
I
D
DD
= 9A
= 400V, V
GS
= 10V,
–
120
240
nC
Gate-Source Charge
Q
gs
–
70
–
Gate-Drain (“Miller”) Charge
Q
gd
–
50
–
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Continuous Drain Reverse Current
I
DR
–
–
–
9
A
Pulse Drain Reverse Current
I
DRP
V
DSF
–
–
–
27
A
Diode Forward Voltage
I
DR
= 9A, V
GS
= 0V
–
–
-2.0
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1359 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
2SK1363 2SK1363
2SK1365 FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)
2SK1374 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1378 2SK1378
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1359 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1359(F) 功能描述:MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK1359_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type (?#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applications
2SK1359_09 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:DC−DC Converter and Motor Drive Applications
2SK1359F 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTORS /POWER MOSFET/NCH 700V
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