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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1303 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK1303 |
2SK1303
5
5
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
4
1
2
6
8
0
2
3
I
D
= 50 A
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
20 A
10 A
0.5
10
200
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
0.2
0.01
5
20
100
2
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 4 V
Pulse Test
10 V
0.02
0.005
50
0.20
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
S
)
0.16
0.04
0
80
120
0
–40
0.08
0.12
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
10 A
Pulse Test
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4 V
20 A
50 A
10 A
50
2
50
Drain Current I
D
(A)
F
y
20
2
1.0
20
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
V
= 10 V
Pulse Test
1.0
10
5
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1304 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1305 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1306 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1307 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1313LS | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1303(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1303-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1304 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1304-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1305 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN TO-220FM - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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