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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1195 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | VR Series Power MOSFET(230V 1.5A) |
| 中文描述： | VR系列功率MOSFET（230伏1.5安培） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 395K |
| 代理商： | 2SK1195 |
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
2SK1195 ( F1E23 )
VR Series Power MOSFET
●
Electrical Characteristics Tc = 25
℃
Item
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage Current
Forward Tran
ｓ
conductance
Static Drain-Source On-
ｓ
tate Resistance
Gate Threshold Voltage
Source-Drain Diode Forward Voltage
Thermal Resistance
Total Gate Charge
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Symbole
V
(BR)DSS
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0V
I
DSS
V
DS
= 230V, V
GS
= 0V
I
GSS
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
g
fs
I
D
=
1
.5A, V
DS
=
1
0V
R
DS(ON)
I
D
=
1
.5A, V
GS
=
1
0V
V
TH
I
D
= 0.2mA, V
DS
=
1
0V
V
SD
I
S
=
1
.5A, V
GS
= 0V
θ
jc
junction to case
Qg
VGS =
1
0V, I
D
=
1
.5A, V
DD
= 200V
C
iss
C
rss
V
DS
=
1
0V, V
GS
= 0V, f =
1
MH
Z
C
oss
t
on
I
D
=
1
.5A, V
GS
=
1
0V, R
L
= 67
Ω
t
off
Conditions
Min.
230
Typ.
Max.
Unit
V
μ
A
250
±
0.
1
0.7
1
.4
1
.2
3
S
Ω
V
2
4
2
1
.5
1
2.5
℃
/
Ｗ
nC
6.9
1
60
20
90
37
50
pF
75
1
00
ns
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