參數(shù)資料
型號： 2SJ621
廠商： NEC Corp.
英文描述： RF Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:600mV; Transistor Polarity:Dual P Channel; Power Dissipation:0.36W; C-E Breakdown Voltage:15V; DC Current Gain Min (hfe):20; Collector Current:200mA
中文描述： MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： 2SJ621
Data Sheet D15634EJ1V0DS
6
2SJ621
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD
VOLTAGE
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
I
S
0.01
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Pulsed
V
GS
= 0 V
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
I
D
=
3.5 A
V
DD
=
10 V
6.0 V
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
Q
G
- Gate Charge - nC
5
4
3
2
1
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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