參數(shù)資料
型號： 2SJ518
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SJ518
2SJ518
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
E
AR
Pch
Note3
–60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
–2
A
Drain peak current
Note1
–4
A
Body-drain diode reverse drain current
–2
A
Avalanche current
Note2
–2
A
Avalanche energy
0.34
mJ
Channel dissipation
1
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
3. Value at when using the aluminaceramic board (12.5x20x0.7mm)
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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